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MBR1H200_B0_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR1H200_B0_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,

MBR1H200_B0_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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