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2SD755

产品描述Silicon NPN Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SD755概述

Silicon NPN Epitaxial

2SD755规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)250
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
标称过渡频率 (fT)350 MHz
Base Number Matches1

2SD755相似产品对比

2SD755 2SD756A 2SD756
描述 Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 250 250 250
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.75 W 0.75 W 0.75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
标称过渡频率 (fT) 350 MHz 350 MHz 350 MHz
Base Number Matches 1 1 1

 
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