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UZXM62P03E6TC

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小283KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
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UZXM62P03E6TC概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN

UZXM62P03E6TC规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW THRESHOLD
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)1.5 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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ZXM62P03E6
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
V
(BR)DSS
=-30V; R
DS(ON)
=0.15
DESCRIPTION
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
I
D
=-2.6A
FEATURES
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
SOT23-6 package
SOT23-6
APPLICATIONS
DC - DC converters
Power management functions
Disconnect switches
Motor control
ORDERING INFORMATION
DEVICE
ZXM62P03E6TA
ZXM62P03E6TC
REEL SIZE
(inches)
7
13
TAPE WIDTH
(mm)
8 embossed
8 embossed
QUANTITY
PER REEL
3,000
10,000
Pinout
DEVICE MARKING
2P03
Top view
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
1
SEMICONDUCTORS

UZXM62P03E6TC相似产品对比

UZXM62P03E6TC UZXM62P03E6TA
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN
零件包装代码 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW THRESHOLD LOW THRESHOLD
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 1.5 A 1.5 A
最大漏源导通电阻 0.15 Ω 0.15 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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