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UZXT10N50DE6TC

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, SUPERSOT-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共6页
制造商Diodes Incorporated
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UZXT10N50DE6TC概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, SUPERSOT-6

UZXT10N50DE6TC规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)165 MHz
Base Number Matches1

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ZXT10N50DE6
SuperSOT™
50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
SUMMARY
V
CEO
=50V; R
SAT
= 75m ; I
C
= 3A
DESCRIPTION
This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex
matrix structure combined with advanced assembly techniques to give
extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low
voltage switching applications.
FEATURES
Low Equivalent On Resistance
Extremely Low Saturation Voltage
h
FE
characterised up to 12A
I
C
=3A Continuous Collector Current
SOT23-6 package
SOT23-6
APPLICATIONS
DC - DC Converters
Power Management Functions
Power switches
Motor control
ORDERING INFORMATION
DEVICE
ZXT10N50DE6TA
ZXT10N50DE6TC
DEVICE MARKING
619
REEL SIZE
(inches)
7
13
TAPE WIDTH
(mm)
8mm embossed
8mm embossed
QUANTITY
PER REEL
3000 units
C
C
B
Top View
C
C
E
10000 units
ISSUE 1 - SEPTEMBER 2000
1

UZXT10N50DE6TC相似产品对比

UZXT10N50DE6TC UZXT10N50DE6TA
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, SUPERSOT-6 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, SUPERSOT-6
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 165 MHz 165 MHz
Base Number Matches 1 1
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