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ST303C08CHN2L

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小172KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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ST303C08CHN2L概述

Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3

ST303C08CHN2L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BUTTON
包装说明DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
标称电路换相断开时间10 µs
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流600 mA
JEDEC-95代码TO-200AB
JESD-30 代码O-CEDB-N2
JESD-609代码e0
最大漏电流50 mA
通态非重复峰值电流8000 A
元件数量1
端子数量2
最大通态电流620000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流1180 A
重复峰值关态漏电流最大值50000 µA
断态重复峰值电压800 V
重复峰值反向电压800 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1
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