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CMDSH-4EBK

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小368KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMDSH-4EBK概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),

CMDSH-4EBK规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.33 V
最大非重复峰值正向电流0.75 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
Base Number Matches1

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CMDSH-4E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
SILICON SCHOTTKY DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDSH-4E is an
Enhanced version of the CMDSH-3 Silicon Schottky
Diode in an SOD-323 Surface Mount Package.
ENHANCED SPECIFICATIONS:
I
O
from 100mA max to 200mA max.
SOD-323 CASE
B
VR
from 30V min to 40V min.
V
F
from 1.0V max to 0.8V max.
MARKING CODE: S1E
Average Forward Current
Power Dissipation
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=10ms
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VRRM
IO
IFRM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
40
200
350
750
250
-65 to +150
500
UNITS
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
VR=25V
VR=25V, TA=100°C
IR=100μA
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=1.0V, f=1.0MHz
IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
40
IR
TYP
90
25
50
0.29
0.37
0.61
0.65
7.0
MAX
500
100
0.33
0.42
0.80
1.0
5.0
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
V
pF
ns
BVR
VF
VF
♦♦
VF
CT
trr
VF
♦♦
Enhanced specification.
Additional Enhanced specification.
R2 (8-January 2010)

CMDSH-4EBK相似产品对比

CMDSH-4EBK CMDSH-4ETR CMDSH-4ELEADFREE CMDSH-4EBKLEADFREE CMDSH-4ETRLEADFREE
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI PACKAGE-2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
最大反向恢复时间 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
Base Number Matches 1 1 1 1 1
最大正向电压 (VF) 0.33 V 0.33 V - 0.33 V 0.33 V
最大非重复峰值正向电流 0.75 A 0.75 A - 0.75 A 0.75 A
包装说明 - SUPERMINI PACKAGE-2 SUPERMINI-2 SUPERMINI PACKAGE-2 SUPERMINI PACKAGE-2
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-30 代码 - R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
端子数量 - 2 2 2 2
最低工作温度 - -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 - 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W
端子形式 - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL DUAL DUAL
是否无铅 - - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - - 符合 符合 符合
JESD-609代码 - - e3 e3 e3
湿度敏感等级 - - 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) - - 260 260 260
端子面层 - - Matte Tin (Sn) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
处于峰值回流温度下的最长时间 - - 10 10 10
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