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CMDSH-4ETRLEADFREE

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小368KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMDSH-4ETRLEADFREE概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI PACKAGE-2

CMDSH-4ETRLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SUPERMINI PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.33 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.75 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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CMDSH-4E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
SILICON SCHOTTKY DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDSH-4E is an
Enhanced version of the CMDSH-3 Silicon Schottky
Diode in an SOD-323 Surface Mount Package.
ENHANCED SPECIFICATIONS:
I
O
from 100mA max to 200mA max.
SOD-323 CASE
B
VR
from 30V min to 40V min.
V
F
from 1.0V max to 0.8V max.
MARKING CODE: S1E
Average Forward Current
Power Dissipation
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=10ms
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VRRM
IO
IFRM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
40
200
350
750
250
-65 to +150
500
UNITS
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
VR=25V
VR=25V, TA=100°C
IR=100μA
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=1.0V, f=1.0MHz
IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
40
IR
TYP
90
25
50
0.29
0.37
0.61
0.65
7.0
MAX
500
100
0.33
0.42
0.80
1.0
5.0
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
V
pF
ns
BVR
VF
VF
♦♦
VF
CT
trr
VF
♦♦
Enhanced specification.
Additional Enhanced specification.
R2 (8-January 2010)

CMDSH-4ETRLEADFREE相似产品对比

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描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SUPERMINI PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
最大反向恢复时间 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
Base Number Matches 1 1 1 1 1
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 -
包装说明 SUPERMINI PACKAGE-2 SUPERMINI PACKAGE-2 SUPERMINI-2 SUPERMINI PACKAGE-2 -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -
最大正向电压 (VF) 0.33 V 0.33 V - 0.33 V 0.33 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 -
JESD-609代码 e3 - e3 e3 -
湿度敏感等级 1 - 1 1 -
最大非重复峰值正向电流 0.75 A 0.75 A - 0.75 A 0.75 A
端子数量 2 2 2 2 -
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260 -
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W -
端子面层 MATTE TIN (315) - Matte Tin (Sn) MATTE TIN (315) -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 10 - 10 10 -

 
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