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RN2901(TE85L,F)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小575KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2901(TE85L,F)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP

RN2901(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)30
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN2901~RN2906
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN2901,RN2902,RN2903,RN2904,RN2905,RN2906
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Unit : mm
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1901 to RN1906
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2901
RN2902
RN2903
RN2904
RN2905
RN2906
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
US6
JEDEC
JEITA
2-2J1A
TOSHIBA
Weight: 6.8 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2901 to 2906
RN2901 to 2906
RN2901 to 2904
RN2905, 2906
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−10
−5
−100
200
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Equivalent Circuit
(Top View)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* : Total rating
1
2010-07-09

RN2901(TE85L,F)相似产品对比

RN2901(TE85L,F) RN2905(TE85L,F) RN2904(TE85L,F) RN2902(TE85L,F)
描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 30 80 80 50
元件数量 2 2 2 2
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 -
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