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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHM7064UPBF
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IRHM7064UPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小760KB，共8页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRHM7064UPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN

IRHM7064UPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.021 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-CSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)284 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD-91564H
IRHM7064
JANSR2N7431
RADIATION HARDENED
POWER MOSFET
THRU-HOLE (TO-254AA)
Product Summary
Part Number
IRHM7064
IRHM3064
IRHM4064
IRHM8064
Radiation Level
100 kRads(Si)
300 kRads(Si)
500 kRads(Si)
1000 kRads(Si)
RDS(on)
0.021
0.030
0.030
0.030
I
D
35A*
35A*
35A*
35A*
QPL Part Number
JANSR2N7431
JANSF2N7431
JANSG2N7431
JANSH2N7431
60V, N-CHANNEL
REF: MIL-PRF-19500/663
RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY
TO-254AA
Description
IRHM7064 is part of the International Rectifier HiRel family
of products. IR HiRel RAD-Hard HEXFET technology
provides high performance power MOSFETs for space
applications. This technology has over a decade of proven
performance and reliability in satellite applications. These
devices have been characterized for both Total Dose and
Single Event Effects (SEE). The combination of low Rdson
and low gate charge reduces the power losses in switching
applications such as DC to DC converters and motor
control. These devices retain all of the well established
advantages of MOSFETs such as voltage control, fast
switching, ease of paralleling and temperature stability of
electrical parameters.
Features
Single Event Effect (SEE) Hardened
Low RDS(on)
Low Total Gate Charge
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Electrically Isolated
Ceramic Package
Light Weight
ESD Rating: Class 3B per MIL-STD-750,
Method 1020
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ V
GS
= 12V, T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
*Current is limited by package
For Footnotes refer to the page 2.
1
International Rectifier HiRel Products, Inc.
35*
35*
140
250
2.0
± 20
500
35
25
2.5
-55 to + 150
I
D
@ V
GS
= 12V, T
C
= 100°C Continuous Drain Current
Pre-Irradiation
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)
9.3 (Typical)
g
2017-12-21

IRHM7064UPBF相似产品对比

IRHM7064UPBF IRHM7064U IRHM7064PBF IRHM7064SCSPBF IRHM7064DPBF IRHM7064D
描述 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合 符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 35 A 35 A 35 A 35 A 35 A 35 A
最大漏源导通电阻 0.021 Ω 0.021 Ω 0.021 Ω 0.021 Ω 0.021 Ω 0.021 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED 260 260 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 284 A 284 A 140 A 284 A 284 A 284 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED 40 40 40 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
零件包装代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA - TO-254AA TO-254AA
针数 3 3 3 - 3 3
其他特性 HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED - HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - - ISOLATED ISOLATED
厂商名称 - - International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）

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