Power Transistor (-80V, -4A)
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 1000 |
JESD-609代码 | e2 |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 40 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SD1933 | 2SB1342 | |
---|---|---|
描述 | Power Transistor (-80V, -4A) | Power Transistor (-80V, -4A) |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 4 A | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 1000 | 1000 |
JESD-609代码 | e2 | e2 |
元件数量 | 1 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | NPN | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W | 30 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 40 MHz | 12 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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