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RU4DWK

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1.2A, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共1页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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RU4DWK概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1.2A, Silicon,

RU4DWK规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.4 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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Damper Diodes (For Display)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Type No.
V
RM
(V)
I
F (AV)
(A)
( ) is with
Heatsink
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Tstg
(°C)
V
F
(V)
max
I
F
(A)
I
R
(H)
I
R
(µA)
(µA)
V
R
= V
RM
V
R
= V
RM
max
Ta =100°C max
Others
I
FSM
(A)
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
Tj
(°C)
t
rr
Œ
(µs)
I
F
/
I
RP
(mA)
t
rr

(µs)
I
F
/
I
RP
(mA)
Rth (j- )
(°C/ W)
Mass
Fig.
(g)
RU 4D
1300
1.2 (1.5)
1.8
1.5 (2.5)
1500
2.0
50
–40 to +150
1.7
1.5
0.4
3.0
2.0
50
500
0.7
500/500
0.3
0.18
500/1000
10.0
1.0
B
8.0
1.2
A
RU 4DS
RP 3F
RU 4D
2.0
I
F (AV)
(A)
Ta—I
F(AV)
Derating
20•20•1t Cu
V
F
— I
F
Characteristics
(Typical)
30
I
FSM
(A)
I
FMS
Rating
50
I
FSM
(A)
20ms
10
1.5
Forward Current I
F
(A)
40
Average Forward Current
1
Peak Forward Surge Current
5mm
5mm
30
1.0
W
ith
ou
W
ith
at
He
sin
tH
ea
0.1
0.5
Ta=140ºC
100ºC
28ºC
20
k
in
ts
k
0.01
10
0
0.001
0
25 40 50 60 75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Forward Voltage V
F
(V)
2.5
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
RU 4DS
3.0
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
Ta—I
F(AV)
Derating
20•20•1t Cu
V
F
— I
F
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
I
FMS
Rating
50
I
FSM
(A)
20ms
20
10
Forward Current I
F
(A)
2.5
5mm
5mm
40
2.0
ink
ats
He
ith
W
1
Peak Forward Surge Current
30
1.5
W
0.1
1.0
0.5
0
ith
ou
tH
ea
ts
0.01
in
Ta=150ºC
100ºC
60ºC
26ºC
20
10
k
0
25
50 60 75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0.001
0
0.5
1.0
1.5
Forward Voltage V
F
(V)
2.0
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
RP 3F
2.5
I
F (AV)
(A)
Ta—I
F(AV)
Derating
10mm
V
F
— I
F
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
I
FMS
Rating
50
I
FSM
(A)
20ms
20
10
Forward Current I
F
(A)
2.0
P. C. B. t 1.6
Solder Land
10
40
1
1.5
Peak Forward Surge Current
Average Forward Current
30
0.1
1.0
0.5
0.01
Ta=150ºC
100ºC
60ºC
25ºC
20
10
0
0
25
50
75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0.001
0
0.5
1.0
1.5
Forward Voltage V
F
(V)
2.0
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
External Dimensions
(Unit: mm) (Full-mold)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
Fig.
A
1.4
±0.1
Fig.
B
1.2
±0.05
Cathode Mark
Cathode Mark
62.5
±0.7
6.5
±0.2
50.0
±1.0
8.0
±0.2
9.1
±0.2
5.2
±0.2
73

RU4DWK相似产品对比

RU4DWK RP3FWK RP3FWS RU4DSWK RU4DSWS RU4DWS
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1.2A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 1.2A, Silicon,
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 1.2 A 2.5 A 2.5 A 1.5 A 1.5 A 1.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.4 µs 0.7 µs 0.7 µs 0.4 µs 0.4 µs 0.4 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

 
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