Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RU4DSWK

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RU4DSWK: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小30KB，共1页; 制造商SANKEN; 官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/

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RU4DSWK概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, Silicon,

RU4DSWK规格参数

参数名称	属性值
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	1.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
最大反向恢复时间	0.4 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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Damper Diodes (For Display)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Type No.

(V)

F (AV)

(A)

( ) is with

Heatsink

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Tstg

(°C)

(V)

max

(A)

(H)

(µA)

= V

max

Ta =100°C max

Others

FSM

(A)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

(°C)

(µs)

(mA)

(µs)

(mA)

Rth (j- )

(°C/ W)

Mass

Fig.

(g)

RU 4D

1300

1.2 (1.5)

1.8

1.5 (2.5)

1500

2.0

–40 to +150

1.7

1.5

0.4

3.0

2.0

500

0.7

500/500

0.3

0.18

500/1000

10.0

1.0

8.0

1.2

RU 4DS

RP 3F

RU 4D

2.0

F (AV)

(A)

Ta—I

F(AV)

Derating

20•20•1t Cu

— I

Characteristics

(Typical)

FSM

(A)

FMS

Rating

FSM

(A)

20ms

1.5

Forward Current I

(A)

Average Forward Current

Peak Forward Surge Current

5mm

1.0

ith

sin

0.1

0.5

Ta=140ºC

100ºC

28ºC

0.01

0.001

25 40 50 60 75

100 125

Ambient Temperature Ta (°C)

150

0.5

1.0

1.5

2.0

Forward Voltage V

(V)

2.5

Overcurrent Cycles

RU 4DS

3.0

Average Forward Current I

F (AV)

(A)

Ta—I

F(AV)

Derating

20•20•1t Cu

— I

Characteristics

(Typical)

FSM

(A)

FMS

Rating

FSM

(A)

20ms

Forward Current I

(A)

2.5

5mm

2.0

ink

ats

ith

Peak Forward Surge Current

1.5

0.1

1.0

0.5

ith

0.01

Ta=150ºC

100ºC

60ºC

26ºC

50 60 75

100 125

Ambient Temperature Ta (°C)

150

0.001

0.5

1.0

1.5

Forward Voltage V

(V)

2.0

Overcurrent Cycles

RP 3F

2.5

F (AV)

(A)

Ta—I

F(AV)

Derating

10mm

— I

Characteristics

(Typical)

FSM

(A)

FMS

Rating

FSM

(A)

20ms

Forward Current I

(A)

2.0

P. C. B. t 1.6

Solder Land

1.5

Peak Forward Surge Current

Average Forward Current

0.1

1.0

0.5

0.01

Ta=150ºC

100ºC

60ºC

25ºC

100 125

Ambient Temperature Ta (°C)

150

0.001

0.5

1.0

1.5

Forward Voltage V

(V)

2.0

Overcurrent Cycles

External Dimensions

(Unit: mm) (Full-mold)

Flammability:

UL94V-0 or Equivalent

Fig.

1.4

±0.1

Fig.

1.2

±0.05

Cathode Mark

62.5

±0.7

6.5

±0.2

50.0

±1.0

8.0

±0.2

9.1

±0.2

5.2

±0.2

RU4DSWK相似产品对比

	RU4DSWK	RP3FWK	RP3FWS	RU4DSWS	RU4DWS	RU4DWK
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, Silicon,	Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, Silicon,	Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, Silicon,	Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, Silicon,	Rectifier Diode, 1 Element, 1.2A, Silicon,	Rectifier Diode, 1 Element, 1.2A, Silicon,
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
最大输出电流	1.5 A	2.5 A	2.5 A	1.5 A	1.2 A	1.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大反向恢复时间	0.4 µs	0.7 µs	0.7 µs	0.4 µs	0.4 µs	0.4 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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