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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2901(TE85R)
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RN2901(TE85R)

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小570KB，共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2901(TE85R)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2901(TE85R)规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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RN2901~RN2906
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN2901,RN2902,RN2903,RN2904,RN2905,RN2906
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Unit : mm
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1901 to RN1906
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2901
RN2902
RN2903
RN2904
RN2905
RN2906
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
US6
―
JEDEC
―
JEITA
2-2J1A
TOSHIBA
Weight: 6.8 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2901 to 2906
RN2901 to 2906
RN2901 to 2904
RN2905, 2906
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−10
−5
−100
200
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Equivalent Circuit
(Top View)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* : Total rating
1
2010-07-09

RN2901(TE85R)相似产品对比

RN2901(TE85R) RN2901TE85R RN2901TE85L RN2901-11 RN2901TE85N RN2901(TE85L)
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTORS BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 - 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 - 30 30
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING SWITCHING
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz - 200 MHz 200 MHz

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