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TN4037: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小77KB，共1页; 制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]

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TN4037概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN

TN4037规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	TO-237
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
基于收集器的最大容量	30 pF
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50
JEDEC-95代码	TO-237AA
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	140 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	60 MHz
VCEsat-Max	1.4 V
Base Number Matches	1

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TN4037相似产品对比

	TN4037	TN4234	TN640	TN4036	TN638	TN636
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TO-237	TO-237	TO-237	TO-237	TO-237	TO-237
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	1 A	1 A	0.5 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	40 V	40 V	80 V	65 V	60 V	45 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50	10	25	20	25	25
JEDEC-95代码	TO-237AA	TO-237AA	TO-237AA	TO-237AA	TO-237AA	TO-237AA
JESD-30 代码	O-PBCY-W3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-W3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	NPN	NPN	PNP	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	WIRE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	60 MHz	3 MHz	130 MHz	60 MHz	130 MHz	130 MHz
VCEsat-Max	1.4 V	0.6 V	0.5 V	0.65 V	0.5 V	0.5 V
是否无铅	-	含铅	含铅	-	含铅	含铅
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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