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CN1016

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小63KB,共2页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
标准
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CN1016概述

Transistor

CN1016规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)10 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)60 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR
CN1016
(9AW)
TO-3P
MARKING:-
CN
1016
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)
DESCRIPTION
SYMBOL
VALUE
VCBO
160
Collector -Base Voltage
VCEO
150
Collector -Emitter Voltage
VEBO
5.0
Emitter Base Voltage
IC
10
Collector Current
ICP
15
Peak t=30ms
IB
1.0
Base Current
60
Collector Power Dissipation @ Tc=25 deg C
PC
Tj
150
Junction Temperature
Tstg
-55 to +150
Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
MIN
TYP
ICBO
VCB=160V, IE=0
-
-
Collector Cut off Current
IEBO
VEB=5V, IC=0
-
-
Emitter Cut off Current
VCEO
IC=30mA, IB=0
150
-
Collector Emitter Voltage
hFE
IC=6A, VCE=4V
2.0
-
DC Current Gain
IC=10A, VCE=4V
1.0
-
VCE(Sat) IC=6A, IB=6mA
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
VBE(Sat) IC=6A, IB=6mA
-
-
Base Emitter Saturation Voltage
Dynamic Characteristics
ft
VCE=12V, IC=1A,
-
80
Transition Frequency
Cob
VCB=10V, IE=0
-
85
Collector Output Capacitance
f=1MHz
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
deg C
deg C
MAX
100
3.0
-
20
-
2.5
3.0
-
-
UNIT
uA
mA
V
K
K
V
V
MHz
pF
Continental Device India Limited
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