MXSMAJP4KE160AE3,MXSMAJP4KE160AE3 pdf中文资料,MXSMAJP4KE160AE3引脚图,MXSMAJP4KE160AE3电路-Datasheet-电子工程世界

MXSMAJP4KE160AE3: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMAJ, BA, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小305KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MXSMAJP4KE160AE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMAJ, BA, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-214AC
包装说明	R-PDSO-C2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	168 V
最小击穿电压	152 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.52 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	136 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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