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2SC5515

产品描述Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小24KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SC5515概述

Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)

2SC5515规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-3E
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)17 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)65 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
Base Number Matches1

2SC5515相似产品对比

2SC5515 2SC5513
描述 Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output) Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
零件包装代码 TO-3E TO-3E
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 17 A 11 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 5
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 65 W 40 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 3 MHz 3 MHz
Base Number Matches 1 1
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