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KM616U4000ALT-8

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
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文件大小687KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM616U4000ALT-8概述

Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44

KM616U4000ALT-8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明TSOP, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

KM616U4000ALT-8相似产品对比

KM616U4000ALT-8 KM616U4000ALRI-7L
描述 Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 TSOP, TSOP44,.46,32 TSOP, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 85 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16
湿度敏感等级 3 3
端子数量 44 44
字数 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C
组织 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP TSOP
封装等效代码 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00003 A 0.000015 A
最小待机电流 2 V 2 V
最大压摆率 0.09 mA 0.09 mA
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
Base Number Matches 1 1
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