NTE481概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

NTE481规格参数

参数名称	属性值
包装说明	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	5 A
集电极-发射极最大电压	16 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-CRFM-F4
元件数量	1
端子数量	4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	28 W
最大功率耗散 (Abs)	28 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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NTE481相似产品对比

	NTE481	NTE485	NTE482	NTE474
描述	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-202, TO-202, 3 PIN
包装说明	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	5 A	7.5 A	7 A	0.6 A
集电极-发射极最大电压	16 V	18 V	16 V	18 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	15	20	5
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-CRFM-F4	R-CDFM-F6	R-CDFM-F6	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	4	6	6	3
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	28 W	70 W	46 W	9.5 W
最大功率耗散 (Abs)	28 W	70 W	46 W	9.5 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES	NO
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE
端子位置	RADIAL	DUAL	DUAL	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1
Is Samacsys	N	N	N	-

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