32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 9.652 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| MK48Z30B-12 | MK48Z30B-10 | MK48Z30AB-15 | MK48Z30B-15 | MK48Z30AB-12 | MK48Z30AB-10 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-28 | PLASTIC, DIP-28 | PLASTIC, DIP-28 | PLASTIC, DIP-28 | PLASTIC, DIP-28 | PLASTIC, DIP-28 |
| 针数 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 120 ns | 100 ns | 150 ns | 150 ns | 120 ns | 100 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 9.652 mm | 9.652 mm | 9.652 mm | 9.652 mm | 9.652 mm | 9.652 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V | 4.5 V | 4.75 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 混合内存类型 | - | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A |
| 封装等效代码 | - | DIP28,.6 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
| 电源 | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 最大待机电流 | - | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
| 最大压摆率 | - | 0.09 mA | 0.09 mA | 0.09 mA | 0.09 mA | 0.09 mA |
| 厂商名称 | - | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
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