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MIAA15WE600TMH

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINI PACKAGE-26
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小306KB,共8页
制造商IXYS
标准  
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MIAA15WE600TMH概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINI PACKAGE-26

MIAA15WE600TMH规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明MINI PACKAGE-26
针数26
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)23 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-XUFM-X22
元件数量7
端子数量22
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)280 ns
标称接通时间 (ton)85 ns
Base Number Matches1

 
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