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HYB18L256320CF-7.5

产品描述Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90
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文件大小3MB,共59页
制造商QIMONDA
标准
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HYB18L256320CF-7.5概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90

HYB18L256320CF-7.5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码BGA
包装说明FBGA, BGA90,9X15,32
针数90
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
长度12.5 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量90
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10 mm
Base Number Matches1

HYB18L256320CF-7.5相似产品对比

HYB18L256320CF-7.5 HYE18L256320CF-6 HYB18L256320CF-6 HYE18L256320CF-7.5
描述 Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 FBGA, BGA90,9X15,32 FBGA, BGA90,9X15,32 FBGA, BGA90,9X15,32 FBGA, BGA90,9X15,32
针数 90 90 90 90
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 5.5 ns 5.5 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 166 MHz 166 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90
长度 12.5 mm 12.5 mm 12.5 mm 12.5 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 90 90 90 90
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096
自我刷新 YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL COMMERCIAL EXTENDED
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40
宽度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm
湿度敏感等级 3 3 - 3
Base Number Matches 1 1 1 -

 
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