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CMKT2907ABKLEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小494KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMKT2907ABKLEADFREE概述

Transistor

CMKT2907ABKLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.6 A
最小直流电流增益 (hFE)100
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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CMKT2907A
CMKT2907AG
SURFACE MOUNT
DUAL PNP SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT2907A and
CMKT2907AG each consist of two individual isolated
2907A PNP silicon transistors, manufactured by the
epitaxial planar process and epoxy molded in an
SOT-363 surface mount package. This ULTRAmini™
device has been designed for small signal general
purpose and switching applications.
• The CMKT2907AG is
Halogen Free
by design.
SOT-363 CASE
MARKING CODES:
CMKT2907A: K07
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMKT2907AG: K7G
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
60
60
5.0
600
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
ICBO
VCB=50V
10
ICBO
VCB=50V, TA=125°C
10
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
VCE=30V, VBE=0.5V
IC=10µA
IC=10mA
IE=10µA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
IC=0.1mA
IC=1.0mA
IC=10mA
IC=150mA
75
100
100
100
50
300
50
60
60
5.0
0.4
1.6
1.3
2.6
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE=10V, IC=500mA
R4 (13-January 2010)

CMKT2907ABKLEADFREE相似产品对比

CMKT2907ABKLEADFREE CMKT2907ATRLEADFREE CMKT2907ALEADFREE
描述 Transistor Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ULTRAMINI-6
是否Rohs认证 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 50
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W -
厂商名称 - Central Semiconductor Central Semiconductor
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