1N4148: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, MINIMELF-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小12KB，共1页; 制造商Rectron; 标准

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1N4148概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, MINIMELF-2

1N4148规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-35
包装说明	HERMETIC SEALED, GLASS, MINIMELF-2
针数	2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值正向电流	2 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.15 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	265
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

1N4148

1N4148 SIGNAL DIODE

Absolute Maximum Ratings (Ta=25

Items

Symbol Ratings Unit

Reverse Voltage

Reverse Recovery

trr

Time

Power Dissipation

500

3.33mW/

C (25

Forward Current

300

Junction Temp.

-65 to 175

Storage Temp.

Tstg -65 to 175

Mechanical Data

Items

Package

Case

Lead/Finish

Chip

Materials

DO-35

Hermetically sealed glass

Double stud/Solder Plating

Glass Passivated

26 MIN

Dimensions in millimeters

Dimensions (DO-35

)

DO-35

26 MIN

0.457

DIA.

0.559

4.2

max.

2.0

DIA.

max.

Electrical Characteristics (Ta=25

Ratings

Minimum Breakdown Voltage

IR= 5.0uA

IR= 100uA

Peak Forward Surge Current PW= 1sec.

Maximum Forward Voltage

IF= 10mA

Maximum Reverse Current

VR= 20V

VR= 75V

VR= 20V, Tj= 150

Maximum Junction Capacitance

VR= 0, f= 1 MHz

Maximum Reverse Recovery Time

IF= 10mA, VR= 6V, IRR= 1mA, RL= 100

Ω

Symbol

Ratings

100

1.0

Unit

IFsurge

0.025

5.0

trr

RECTRON USA

1315 John Reed Court, Industry, CA 91745

Tel: (626) 333-3802 Fax: (626) 330-6296

www.rectron.com

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