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HM62V8256BLTSI-8SL

产品描述Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32
产品类别存储    存储   
文件大小102KB,共16页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM62V8256BLTSI-8SL概述

Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32

HM62V8256BLTSI-8SL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数32
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.56,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度8 mm
Base Number Matches1
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