MSM5188-45RS,MSM5188-45RS pdf中文资料,MSM5188-45RS引脚图,MSM5188-45RS电路-Datasheet-电子工程世界

MSM5188-45RS: 产品描述Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP22, DIP-22; 产品类别存储存储; 文件大小212KB，共5页; 制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd

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MSM5188-45RS概述

Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP22, DIP-22

MSM5188-45RS规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T22
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	22
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.002 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

MSM5188-45RS相似产品对比

	MSM5188-45RS	MSM5188-70US	MSM5188-45US	MSM5188-55US	MSM5188-70RS	MSM5188-55RS
描述	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP22, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 70ns, CMOS, PDIP22	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, PDIP22	Standard SRAM, 16KX4, 70ns, CMOS, PDIP22, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, PDIP22, DIP-22
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
Is Samacsys	N	N	N	N	N	N
最长访问时间	45 ns	70 ns	45 ns	55 ns	70 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T22	R-PDIP-T22	R-PDIP-T22	R-PDIP-T22	R-PDIP-T22	R-PDIP-T22
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
端子数量	22	22	22	22	22	22
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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