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FM180-MS-H

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共7页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
标准
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FM180-MS-H概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, SMA, 2 PIN

FM180-MS-H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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SMD Schottky Barrier Rectifier
FM120-MS THRU FM1200-MS
List
Formosa MS
List................................................................................................. 1
Package outline............................................................................... 2
Features.......................................................................................... 2
Mechanical data............................................................................... 2
Maximum ratings ............................................................................. 2
Rating and characteristic curves........................................................ 3
Pinning information........................................................................... 4
Marking........................................................................................... 4
Suggested solder pad layout............................................................. 4
Packing information.......................................................................... 5
Reel packing.................................................................................... 6
Suggested thermal profiles for soldering processes............................. 6
High reliability test capabilities........................................................... 7
http://www.formosams.com/
TEL:886-2-22696661
FAX:886-2-22696141
Document ID
Issued Date
2011/02/21
Revised Date
2011/11/29
Revision
C
Page.
7
Page 1
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