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2SB709A

产品描述Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小203KB,共5页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SB709A概述

Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires

2SB709A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1

2SB709A相似产品对比

2SB709A 2SB324 2SB709
描述 Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknow unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 1 A 0.1 A
配置 SINGLE Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 160 53 160
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 125 °C 100 °C 125 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 0.01 MHz 80 MHz
零件包装代码 SOT-23 - SOT-23
针数 3 - 3
ECCN代码 EAR99 - EAR99
集电极-发射极最大电压 45 V - 25 V
JEDEC-95代码 TO-236 - TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
Base Number Matches 1 1 -

 
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