Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 53 |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 100 °C |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称过渡频率 (fT) | 0.01 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SB324 | 2SB709 | 2SB709A | |
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描述 | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | , | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 1 A | 0.1 A | 0.1 A |
配置 | Single | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 53 | 160 | 160 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 100 °C | 125 °C | 125 °C |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W | 0.2 W | 0.2 W |
表面贴装 | NO | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称过渡频率 (fT) | 0.01 MHz | 80 MHz | 80 MHz |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
零件包装代码 | - | SOT-23 | SOT-23 |
针数 | - | 3 | 3 |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
集电极-发射极最大电压 | - | 25 V | 45 V |
JEDEC-95代码 | - | TO-236 | TO-236 |
JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 3 | 3 |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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