MOTOROLA
Designer's
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
™
Data Sheet
SCANSWITCH
™
MJE16204
POWER TRANSISTORS
6.0 AMPERES
550 VOLTS — VCES
45 AND 80 WATTS
NPN Bipolar Power Deflection Transistor
For High and Very High Resolution Monitors
The MJE16204 is a state–of–the–art SWITCHMODE™ bipolar power transistor. It is
specifically designed for use in horizontal deflection circuits for 20 mm diameter neck,
high and very resolution, full page, monochrome monitors.
•
•
•
•
•
550 Volt Collector–Base Breakdown Capability
Typical Dynamic Desaturation Specified (New Turn–Off Characteristic)
Application Specific State–of–the–Art Die Design
Isolated or Non–Isolated TO–220 Type Packages
Fast Switching:
65 ns Inductive Fall Time (Typ)
680 ns Inductive Storage Time (Typ)
Low Saturation Voltage:
0.4 Volts at 3.0 Amps Collector Current and 400 mA Base Drive
Low Collector–Emitter Leakage Current — 100
µA
Max at 550 Volts — VCES
High Emitter–Base Breakdown Capability For High Voltage Off Drive Circuits —
9.0 Volts (Min)
Case 221D is UL Recognized at 3500 VRMS: File #E69369
•
•
•
•
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î Î
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
VCES
MJE16204
550
250
8.0
—
—
—
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
V
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Emitter–Base Voltage
VCEO(sus)
VEBO
VISOL
RMS Isolation Voltage(2)
(for 1 sec, TA = 25
_
C,
Rel. Humidity < 30%)
Per Fig. 14
Per Fig. 15
Per Fig. 16
Collector Current — Continuous
— Pulsed (1)
Base Current — Continuous
— Pulsed (1)
IC
ICM
IB
IBM
PD
6.0
8.0
2.0
4.0
0.2
Adc
Adc
mJ
Repetitive Emitter–Base Avalanche Energy
W(BER)
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
Total Power Dissipation
@ TC = 100
_
C
Derated above TC = 25
_
C
80
32
0.64
Watts
W/
_
C
Operating and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to 150
CASE 221A–06
TO–220AB
MJE16204
_
C
THERMAL CHARCTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
TL
Max
260
Unit
Thermal Resistance — Junction to Case
1.56
_
C/W
_
C
Lead Temperature for Soldering Purposes
1/8″ from the case for 5 seconds
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
10%.
(2) Proper strike and creepage distance must be provided.
* Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface of the
package (in a location beneath the die), the device mounted on a heatsink thermal grease applied,
and a mounting torque of 6 to 8 in
S
lbs.
v
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
(REPLACES MJF16204)
3–814
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
µs,
Duty Cycle
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (1)
OFF CHARACTERISTICS (1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
hFE , DC CURRENT GAIN
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Inductive Load (Table 2) (IC = 3.0 A, IB = 400 mA)
Storage
Fall Time
Collector–Heatsink Capacitance
(Mounted on a 1″ x 2″ x 1/16″ Copper Heatsink, VCE = 0, ftest = 100 kHz)
Emitter–Base Turn–Off Energy
(EB(avalanche) = 500 ns, RBE = 22
Ω)
Gain Bandwidth Product
(VCE = 10 Vdc, IC = 1.0 A, ftest = 1.0 MHz)
Output Capacitance
(VCE = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 100 kHz)
Dynamic Desaturation Interval (IC = 3.0 A, IB1 = 400 mA)
DC Current Gain
(ICE = 6.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3.0 Adc, IB = 400 mAdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 133 mAdc)
(IC = 3.0 Adc, IB = 400 mAdc)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 1.0 mA, IC = 0)
Emitter–Base Leakage
(VEB = 8.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 550 Vdc, VBE = 0 V)
60
50
10
20
30
3
0.5
5
7
– 55°C
TJ = 100°C
25°C
0.7
Figure 1. Typical DC Current Gain
1
3
5
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Characteristic
v
2.0%.
VCE = 5 V
7
10
0.1
0.1
0.3
0.2
1
0.7
0.5
10
7
5
2
3
VCEO(sus)
V(BR)EBO
VCE(sat)
VBE(sat)
Symbol
EB(off)
Cc–hs
IEBO
ICES
Cob
hFE
tds
tsv
tfi
fT
0.2
Figure 2. Typical Collector–Emitter
Saturation Voltage
0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 25°C
TJ = 100°C
Min
250
8.0
8.0
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5 0.7
1
0.25
0.4
Typ
680
65
325
3.0
6.6
0.9
90
50
14
11
—
—
—
2
1500
150
Max
150
100
1.5
0.6
1.0
20
10
—
—
—
—
—
—
3
MJE16204
IC/IB1 = 10
5
3–815
µAdc
µAdc
MHz
Unit
7.5
5
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
µJ
ns
ns
—
7
MJE16204
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
30
20
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
IC = 1 A
2A
3A
6A
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3
TJ = 25°C
TJ = 100°C
IC/IB1 = 5 to 10
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03 0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
IB, BASE CURRENT (AMPS)
1
2
3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Typical Collector–Emitter
Saturation Region
Figure 4. Typical Base–Emitter
Saturation Voltage
10K
f T, TRANSITION FREQUENCY (MHz)
5K
3K
2K
C, CAPACITANCE (pF)
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
0.1 0.2 0.3 0.5
Cob
TC = 25°C
Cib
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1K
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VCE = 10 V
ftest = 1 MHz
TC = 25°C
Figure 5. Typical Capacitance
Figure 6. Typical Transition Frequency
SAFE OPERATING AREA
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
3
5
10
20
30
200 250
50 70 100
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
7
TC = 25°C
7
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
MJE16204
10
µs
6
5
4
3
2
1
0
50
150
250
350
450
550
IC/IB1
≥
5
TJ
≤
100°C
VBE(off) = 0 V
VBE(off) = 5 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
dc
1 ms
SECONDARY BREAKDOWN
WIREBOND LIMIT
THERMAL LIMIT
VCE(pk), PEAK COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Maximum Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 8. Maximum Reverse Biased
Safe Operating Area
3–816
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJE16204
SAFE OPERATING AREA INFORMATION
FORWARD BIAS
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 7 is based on TC = 25
_
C; T J(pk) is
variable depending on power level. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
when TC
≥
25
_
C. Second breakdown limitations do not der-
ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
voltages shown on Figure 7 may be found at any case tem-
perature by using the appropriate curve on Figure 9.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the limita-
tions imposed by second breakdown.
REVERSE BIAS
For inductive loads, high voltage and high current must be
sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with
the base–to–emitter junction reverse biased. Under these
conditions the collector voltage must be held to a safe level
at or below a specific value of collector current. This can be
accomplished by several means such as active clamping,
RC snubbing, load line shaping, etc.
The safe level for these devices is specified as Reverse
Biased Safe Operating Area and represents the voltage–cur-
rent condition allowable during reverse biased turnoff. This
rating is verified under clamped conditions so that the device
is never subjected to an avalanche mode. Figure 8 gives the
RBSOA characteristics.
+ V
≈
11 V
1
SECOND BREAKDOWN
DERATING
POWER DERATING FACTOR
0.8
0.6
THERMAL
DERATING
0.4
0.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 9. Power Derating
Table 1. RBSOA/V(BR)CEO(sus) Test Circuit
0.02
µF
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
0
≈
– 35 V
0.02
µF
50
500
100
T1
0V
T1
+V
*IC
L
T.U.T.
MR856
*IB
50
Vclamp
VCC
IB2
V(BR)CEO
L = 10 mH
RB2 =
∞
VCC = 20 Volts
RBSOA
L = 200
µH
RB2 = 0
VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1
Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.
IB
IB1
VCE
–V
IC
VCE(pk)
IC(pk)
+
–
RB2
2N5337
+
–
100
2N6191
20
10
µF
RB1
A
1
µF
[
–V
Lcoil (ICpk)
VCC
A
T1 adjusted to obtain IC(pk)
*Tektronix
*P–6042
or
*Equivalent
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–817
MJE16204
Table 2. High Resolution Deflection Application Simulator
+ 24 V
+
C1
100
µF
U2
MC7812
G VO
VI
N
D
C2
10
µF
+
Q2
MJ11016
(IB)
R1
1k
6.2 V
R5
1k
(IC)
Q5
MJ11016
R7
2.7 k
R8
9.1 k
R9
470
+
R10
47
C3
10
µF
C6
100
µF
+
LY
C4
0.005
(DC)
R2
R510
SYNC
Q1
R3
250
R6
1k
7
O
S
8
%C
6
VCC
C5
0.1
R10
470
1W
Q3
MJE
15031
100 V
D2
MUR460
CY
1
G OUT
U1
N
D
MC1391P
2
T1
R12
470
1W
LB
Q4
DUT
R4
22
VCE
D1
MUR110
BS170
T1: Ferroxcube Pot Core #1811 P3C8
Primary/Sec. Turns Ratio = 18:6
Primary Inductance Gap:
LP = 250
µH
LB = 0.5
µH
CY = 0.01
µF
LY = 13
µH
2K
200
t s , STORAGE TIME (ns)
TC = 25°C
tf , FALL TIME (ns)
1K
700
500
ICI/B1 = 7.5
100
70
50
ICI/B1 = 7.5
10
TC = 25°C
10
300
200
1
2
3
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
7
30
20
1
2
3
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
7
10
Figure 10. Typical Collector Current Storage
Time in Deflection Circuit Simulator
Figure 11. Typical Collector Current Fall Time
in Deflection Circuit Simulator
3–818
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
综合技术交流
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
