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MPF6661RL1

产品描述2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小320KB,共34页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MPF6661RL1概述

2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

MPF6661RL1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性EUROPEAN PART NUMBER
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压90 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
TMOS FET Transistors
N–Channel — Enhancement
3 DRAIN
2
GATE
1 SOURCE
MPF6659
MPF6660
MPF6661
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain – Source Voltage
Drain – Gate Voltage
Gate–Source Voltage
— Continuous
— Non–repetitive (tp
50
µs)
Drain Current
Continuous(1)
Pulsed(2)
Total Device Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25°C
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
VDS
VDG
VGS
VGSM
ID
IDM
PD
2.5
20
PD
1.0
8.0
TJ, Tstg
– 55 to +150
Watts
mW/°C
°C
Watts
mW/°C
MPF6659
35
35
MPF6660
60
60
±
20
±
40
2.0
3.0
MPF6661
90
90
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vpk
Adc
1
2
3
CASE 29–05, STYLE 22
TO–92 (TO–226AE)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero–Gate–Voltage Drain Current
(VDS = Maximum Rating, VGS = 0)
Gate–Body Leakage Current
(VGS = 15 Vdc, VDS = 0)
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0, ID = 10
µAdc)
MPF6659
MPF6660
MPF6661
IDSS
IGSS
V(BR)DSX
35
60
90
10
100
µAdc
nAdc
Vdc
ON CHARACTERISTICS(2)
Gate Threshold Voltage
(VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc)
Drain–Source On–Voltage
(VGS = 10 Vdc, ID = 1.0 Adc)
MPF6659
MPF6660
MPF6661
MPF6659
MPF6660
MPF6661
VGS(Th)
VDS(on)
0.8
0.9
0.9
1.8
3.0
4.0
1.5
1.5
1.6
0.8
1.4
2.0
Vdc
Vdc
(VGS = 5.0 Vdc, ID = 0.3 Adc)
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.
2. Pulse Test: Pulse Width
300
µs,
Duty Cycle
2.0%.
v
v
REV 2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
4–93
请教关于TAS5716 的配置和控制问题
大家好: 1、 我们想做一个精简的2.1系统,( 20w+20w)+80w subwoofer, i2s输入, i2c控制,经过多次选型,打算用TAS5716 配合外部功放拓展实现(因5716带2组PWM输出 SUB+HP). 2、 ......
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