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EP1014EE

产品描述Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 2.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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EP1014EE概述

Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 2.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt,

EP1014EE规格参数

参数名称属性值
包装说明X-CXMW-F3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW INDUCTANCE
最小击穿电压30 V
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差22.73%
最小二极管电容比1.9
标称二极管电容2.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码X-CXMW-F3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数1500
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压25 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1
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