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IR135DM12CCB

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小16KB,共3页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IR135DM12CCB概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER

IR135DM12CCB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码WAFER
包装说明O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码O-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
相数1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Bulletin I0122J rev. A 02/97
IR135DM12CCB
STANDARD RECOVERY DIODES
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Rectangular 135 x 100 mils
4"
1200 V
Glassivated MOAT
Reference IR Packaged Part:
8EWS..S Series
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
FM
V
RRM
Maximum Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Units
1.1 V
1200 V
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
F
= 8 A
T
J
= 25°C, I
RRM
= 100 µA
(1)
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
100% Al, (20 µm)
135 x 100 mils (see drawing)
100 mm, with std. < 110 > flat
300 µm, ± 10 µm
45 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
1

IR135DM12CCB相似产品对比

IR135DM12CCB IR135DM12C
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 WAFER WAFER
包装说明 O-XUUC-N R-XUUC-N1
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 O-XUUC-N R-XUUC-N1
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
相数 1 1
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V 1200 V
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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