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IR135DM12C: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小16KB，共3页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IR135DM12C概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER

IR135DM12C规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER
包装说明	R-XUUC-N1
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
应用	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JESD-30 代码	R-XUUC-N1
JESD-609代码	e0
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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Bulletin I0122J rev. A 02/97

IR135DM12CCB

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

RRM

Class:

Passivation Process:

Rectangular 135 x 100 mils

1200 V

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part:

8EWS..S Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

RRM

Maximum Forward Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Units

1.1 V

1200 V

Test Conditions

= 25°C, I

= 8 A

= 25°C, I

RRM

= 100 µA

(1)

Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

135 x 100 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 110 > flat

300 µm, ± 10 µm

45 µm

0.25 mm diameter minimum

See drawing

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

www.irf.com

IR135DM12C相似产品对比

	IR135DM12C	IR135DM12CCB
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER	WAFER
包装说明	R-XUUC-N1	O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	R-XUUC-N1	O-XUUC-N
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
相数	1	1
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1200 V	1200 V
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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