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BDB02CRLRE

产品描述500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小334KB,共23页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BDB02CRLRE概述

500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

BDB02CRLRE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
One Watt Amplifier Transistors
PNP Silicon
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
BDB02C
1
2
3
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector – Emitter Voltage
Collector – Base Voltage
Emitter – Base Voltage
Collector Current — Continuous
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25°C
Total Device Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
VCEO
VCES
VEBO
IC
PD
Value
–80
–80
–5.0
–0.5
1.0
8.0
2.5
20
– 55 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watt
mW/°C
Watt
mW/°C
°C
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
PD
TJ, Tstg
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
q
JA
R
q
JC
Max
125
50
Unit
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Voltage
(IC = –10 mA, IB = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = –80 V, IE = 0)
Emitter Cutoff Current (IC = 0, VEB = –5.0 V)
V(BR)CEO
–80
ICBO
IEBO
–0.1
–100
nAdc
Vdc
m
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –100 mA, VCE = –1.0 V)
(IC = –500 mA, VCE = –2.0 V)
Collector – Emitter Saturation Voltage(1) (IC = –1000 mA, IB = –100 mA)
Collector – Emitter On Voltage(1) (IC = –1000 mA, VCE = –1.0 V)
hFE
40
25
VCE(sat)
VBE(on)
400
–0.7
–1.2
Vdc
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = –200 mA, VCE = –5.0 V, f = 20 MHz)
Output Capacitance (VCB = –10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz)
1. Pulse Test: Pulse Width
REV 1
fT
Cob
50
30
MHz
pF
v
300
m
s, Duty Cycle 2.0%.
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
2–225

BDB02CRLRE相似产品对比

BDB02CRLRE BDB02C BDB02CRL BDB02CRLRA BDB02CRL1 BDB02CZL1 BDB02CRLRM
描述 500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN 500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN TRANSISTOR 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal 500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN 500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN 500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN 500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
针数 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25 25 25 25 25
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225 225
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
Is Samacsys N N N N - - -
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
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