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2SB1144

产品描述RF POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SB1144概述

RF POWER TRANSISTOR

2SB1144规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值10 W
最大功率耗散 (Abs)10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

2SB1144相似产品对比

2SB1144 2Sd1684
描述 RF POWER TRANSISTOR RF POWER TRANSISTOR
零件包装代码 SIP SIP
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP NPN
功耗环境最大值 10 W 10 W
最大功率耗散 (Abs) 10 W 1.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 120 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.3 V

 
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