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5962R0250101VXC: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共14页; 制造商e2v technologies

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5962R0250101VXC概述

Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32

5962R0250101VXC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	e2v technologies
零件包装代码	DFP
包装说明	QFF,
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
Is Samacsys	N
最长访问时间	40 ns
JESD-30 代码	R-XDFP-F32
JESD-609代码	e4
长度	20.825 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	QFF
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度	2.72 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
总剂量	100k Rad(Si) V
宽度	10.415 mm
Base Number Matches	1

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Features

•

Operating Voltage: 3.3V

•

Access Time: 40 ns

•

Very Low Power Consumption

•

– Active: 160 mW (Max)

– Standby: 70 µW (Typ)

Wide Temperature Range: -55°C to +125°C

MFP 32 leads 400 Mils Width Package

TTL Compatible Inputs and Outputs

Asynchronous

Designed on 0.35µm Process

No Single Event Latch-up below a LET threshold of 80 MeV/mg/cm

Tested up to a Total Dose of 200 Krad (Si) according to MIL STD 883 Method 1019

Quality grades: QML Q or V with SMD 5962-02501

Description

The M65609E is a very low power CMOS static RAM organized as 131,072 x 8 bits.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the M65609E combines an

extremely low standby supply current with a fast access time at 40 ns. The high stabil-

ity of the 6T cell provides excellent protection against soft errors due to noise.

The M65609E is processed according to the methods of the latest revision of the MIL

PRF 38535 and ESCC 9000.

It is produced on the same process as the MH1RT sea of gates series.

Rad Hard

128K x 8

3.3-volt

Very Low Power

CMOS SRAM

M65609E

Rev. 4158I–AERO–07/07

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	5962R0250101VXC	5962-0250101VXC	5962-0250101QXC
描述	Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32	Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32	128K X 8 STANDARD SRAM, 40 ns, DFP32, 0.400 INCH, DFP-32
厂商名称	e2v technologies	e2v technologies	e2v technologies
零件包装代码	DFP	DFP	DFP
包装说明	QFF,	QFF,	0.400 INCH, DFP-32
针数	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
Base Number Matches	1	1	1
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	-
最长访问时间	40 ns	40 ns	-
JESD-30 代码	R-XDFP-F32	R-XDFP-F32	-
JESD-609代码	e4	e4	-
长度	20.825 mm	20.825 mm	-
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	-
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-
内存宽度	8	8	-
功能数量	1	1	-
端子数量	32	32	-
字数	131072 words	131072 words	-
字数代码	128000	128000	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
最高工作温度	125 °C	125 °C	-
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-
组织	128KX8	128KX8	-
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装代码	QFF	QFF	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	-
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	-
座面最大高度	2.72 mm	2.72 mm	-
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	-
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	-
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-
表面贴装	YES	YES	-
技术	CMOS	CMOS	-
温度等级	MILITARY	MILITARY	-
端子面层	GOLD	GOLD	-
端子形式	FLAT	FLAT	-
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	-
宽度	10.415 mm	10.415 mm	-

5962R0250101VXC

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