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APT5545BN-BUTT

产品描述Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小158KB,共4页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APT5545BN-BUTT概述

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

APT5545BN-BUTT规格参数

参数名称属性值
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压550 V
最大漏极电流 (ID)17 A
最大漏源导通电阻0.45 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)230 pF
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值310 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)68 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)141 ns
最大开启时间(吨)74 ns
Base Number Matches1
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