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MMC9-65608EV-45

产品描述128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32
产品类别存储    存储   
文件大小328KB，共15页
制造商Atmel (Microchip)
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MMC9-65608EV-45概述

128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32

MMC9-65608EV-45规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP32,.4
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e0
长度40.64 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度4.32 mm
最大待机电流0.00015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量30k Rad(Si) V
宽度10.16 mm

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Features
•
Operating Voltage: 5V
•
Access Time: 30, 45 ns
•
Very Low Power Consumption
– Active: 250 mW (Typ)
– Standby: 1 µW (Typ)
– Data Retention: 0.5 µW (Typ)
Wide Temperature Range: -55°C to +125°C
400 Mils Width Packages: FP32 and SB32
TTL Compatible Inputs and Outputs
Asynchronous
Single 5V Supply
Equal Cycle and Access Time
Gated Inputs:
– No Pull-up/down
– Resistors Are Required
QML Q and V with SMD 5962-89598
ESCC B with Specification 9301/047
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Rad. Tolerant
128K x 8
Very Low Power
5V CMOS SRAM
M65608E
Description
The M65608E is a very low power CMOS static RAM organized as 131072 x 8 bits.
Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low
consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked
systems.
Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the M65608E combines an
extremely low standby supply current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time
at 30 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell pro-
vides excellent protection against soft errors due to noise.
The M65608E is processed according to the methods of the latest revision of the MIL
STD 883 (class B or S), ESA SCC 9000 or QML.
Rev. 4151I–AERO–03/04
1

MMC9-65608EV-45相似产品对比

MMC9-65608EV-45 MMC9-65608EV-30 MMDJ-65608EV-30 MMDJ-65608EV-45 5962-8959847Q6A SMDJ-65608EV-45SB SMDJ-65608EV-30SB SMC9-65608EV-45SB SMC9-65608EV-30SB MM0-65608EV-30-E
描述 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 30 ns, CDIP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 30 ns, DFP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, DFP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 30 ns, CDIP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, DFP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 30 ns, DFP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, DIP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 30 ns, DIP32 128K X 8 STANDARD SRAM, 30 ns, CDIP32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合 -
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) - - - Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) -
零件包装代码 DIP DIP DFP DFP DIE - DFP DIP DIP -
包装说明 DIP, DIP32,.4 DIP, DIP32,.4 DFP, FL32,.4 DFP, FL32,.4 DIE, PGA66,11X11 - DFP, FL32,.4 DIP, DIP32,.4 DIP, DIP32,.4 -
针数 32 32 32 32 - - 32 32 32 -
Reach Compliance Code compli compliant compli compliant compli - compli compli compli -
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C - 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C -
最长访问时间 45 ns 30 ns 30 ns 45 ns 30 ns - 30 ns 45 ns 30 ns -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 R-XDFP-F32 R-XDFP-F32 X-XUUC-N - R-XDFP-F32 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - e0 e0 e0 -
长度 40.64 mm 40.64 mm 20.825 mm 20.825 mm - - 20.825 mm 40.64 mm 40.64 mm -
内存密度 1048576 bi 1048576 bit 1048576 bi 1048576 bit 1048576 bi - 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi -
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM -
内存宽度 8 8 8 8 8 - 8 8 8 -
功能数量 1 1 1 1 1 - 1 1 1 -
端子数量 32 32 32 32 66 - 32 32 32 -
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words - 131072 words 131072 words 131072 words -
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 - 128000 128000 128000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C -
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 - 128KX8 128KX8 128KX8 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装代码 DIP DIP DFP DFP DIE - DFP DIP DIP -
封装等效代码 DIP32,.4 DIP32,.4 FL32,.4 FL32,.4 PGA66,11X11 - FL32,.4 DIP32,.4 DIP32,.4 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK UNCASED CHIP - FLATPACK IN-LINE IN-LINE -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-PRF-38535 Class Q - MIL-STD-883 Class B MIL-STD-883 Class B MIL-STD-883 Class B -
座面最大高度 4.32 mm 4.32 mm 2.72 mm 2.72 mm - - 2.72 mm 4.32 mm 4.32 mm -
最大待机电流 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A - - 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A -
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 4.5 V - 2 V 2 V 2 V -
最大压摆率 0.1 mA 0.13 mA 0.13 mA 0.1 mA - - 0.13 mA 0.1 mA 0.13 mA -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 NO NO YES YES YES - YES NO NO -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS -
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY - MILITARY MILITARY MILITARY -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT FLAT NO LEAD - FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm - 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL UPPER - DUAL DUAL DUAL -
总剂量 30k Rad(Si) V 30k Rad(Si) V 30k Rad(Si) V 30k Rad(Si) V - - 30k Rad(Si) V 30k Rad(Si) V 30k Rad(Si) V -
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.415 mm 10.415 mm - - 10.415 mm 10.16 mm 10.16 mm -

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