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2N880: 产品描述0.8 A, 60 V, SCR, TO-92; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小141KB，共3页; 制造商Central Semiconductor; 相似器件已查找到18个与2N880功能相似器件

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2N880概述

0.8 A, 60 V, SCR, TO-92

2N880规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	0.2 mA
最大直流栅极触发电压	0.8 V
最大维持电流	5 mA
JEDEC-95代码	TO-18
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0
最大漏电流	0.1 mA
通态非重复峰值电流	20 A
元件数量	1
端子数量	3
最大通态电流	350 A
最高工作温度	100 °C
最低工作温度	-60 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	0.8 A
断态重复峰值电压	150 V
重复峰值反向电压	150 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

与2N880功能相似器件

器件名	厂商	描述
2N880LEADFREE	Central Semiconductor	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 150V V(RRM), 1 Element, TO-18
2N3027	Digitron	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 30; Max TMS Bridge Input Voltage: 0.5; Max DC Reverse Voltage: 0.0001; Capacitance: 5; Package: TO-18
2N2328	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 2.5A I(T)RMS, 1600mA I(T), 300V V(DRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN
2N6396	Advanced Semiconductor, Inc.	Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 200V V(DRM)
2N6402	Toshiba(东芝)	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),5A I(T),TO-220
C126F	Semitronics Corp	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
BT151X-650R,127	WeEn Semiconductors	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
2N1772A	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 100V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO-64, 2 PIN
2N1776A	Advanced Semiconductor, Inc.	Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 300V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO-64, 2 PIN
2N879	Advanced Semiconductor, Inc.	Silicon Controlled Rectifier, 0.55A I(T)RMS, 350mA I(T), 100V V(DRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN
2N1880	Digitron	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Input Voltage: 1.25; Max DC Reverse Voltage: 0.01; Capacitance: 3; Package: TO-5
C15F	Semitronics Corp	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 3000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-64
MCR718	Central Semiconductor	SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 4 AMP, 400 THRU 600 VOLTS
2N2327	New Jersey Semiconductor	Thyristor SCR 250V 15A 3-Pin TO-39
C106E1	Central Semiconductor	4 A, 400 V, SCR, TO-202
2N1772	Semitronics Corp	Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-64
CS29-08IO1C	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
S2025L	Littelfuse	SCRs 25A 200V

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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