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MRF557G

产品描述RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小149KB,共5页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
标准
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MRF557G概述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

MRF557G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ADPOW
包装说明DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量5.5 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF557
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics
Output Power = 1.5 W
Minimum Gain = 8 dB
Efficiency 60% (Typ)
Cost Effective PowerMacro Package
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
MRF557G
* G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish
Power Macro
Designed primarily for wideband large signal stages in
the UHF frequency range.
DESCRIPTION:
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
16
30
3.0
500
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75
°C
Derate above 75
°C
3.0
40
Watts
mW/
°C
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.
Rev A 9/2005

MRF557G相似产品对比

MRF557G MRF557
描述 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 ADPOW ADPOW
包装说明 DISK BUTTON, O-PRDB-F4 DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
基于收集器的最大容量 5.5 pF 5.5 pF
集电极-发射极最大电压 16 V 16 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-PRDB-F4 O-PRDB-F4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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