Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> HN1B01F-GR(TE85L,F)

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HN1B01F-GR(TE85L,F): 产品描述Small Signal Bipolar Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小370KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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HN1B01F-GR(TE85L,F)概述

Small Signal Bipolar Transistor

HN1B01F-GR(TE85L,F)规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP
功耗环境最大值	0.3 W
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
VCEsat-Max	0.25 V
Base Number Matches	1

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HN1B01F

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

HN1B01F

Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

Q1:

High voltage and high current

: V

CEO

−50

V, I

−150

mA (max)

High h

: h

= 120 to 400

Excellent h

linearity

: h

−0.1

mA) / h

−2

mA) = 0.95 (typ.)

Unit: mm

Q2:

High voltage and high current

: V

CEO

= 50 V, I

= 150 mA (max)

High h

: h

= 120 to 400

Excellent hFE linearity

: h

= 0.1 mA) / h

= 2 mA) = 0.95 (typ.)

―

JEDEC

―

JEITA

TOSHIBA

2-3N1A

Weight: 0.015 g (typ.)

Q1 Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Symbol

CBO

CEO

EBO

Rating

−50

−5

−150

−50

Unit

Marking

Start of commercial production

1989-02

2014-03-01

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	HN1B01F-GR(TE85L,F)	HN1B01F-Y(TE85L,F)	HN1B01F-GR(TE85L,F	HN1B01F-GR(T5LMATF	HN1B01F-Y(T5L,PP,F	HN1B01F-Y(T5LKEHIF
描述	Small Signal Bipolar Transistor	tran pnp/npn -50v -0.15a sm6	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	unknown	unknow	-	unknown	unknown	unknown
Is Samacsys	N	N	-	N	N	N
最大集电极电流 (IC)	0.15 A	0.15 A	-	0.15 A	0.15 A	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	-	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	200	120	-	200	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	-	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	2	-	2	2	2
端子数量	6	6	-	6	6	6
最高工作温度	125 °C	125 °C	-	125 °C	125 °C	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP	NPN AND PNP	-	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP
功耗环境最大值	0.3 W	0.3 W	-	0.3 W	0.3 W	0.3 W
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W	-	0.3 W	0.3 W	0.3 W
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz	150 MHz	-	150 MHz	150 MHz	150 MHz
VCEsat-Max	0.25 V	0.25 V	-	0.25 V	0.25 V	0.25 V
Base Number Matches	1	1	-	1	1	1

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