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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> HN1B01F-GR(TE85L,F
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HN1B01F-GR(TE85L,F

产品描述TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小370KB，共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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HN1B01F-GR(TE85L,F概述

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

HN1B01F-GR(TE85L,F规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN，PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁120MHz
工作温度125°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74，SOT-457
供应商器件封装SM6

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HN1B01F
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
HN1B01F
Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
Q1:
High voltage and high current
: V
CEO
=
−50
V, I
C
=
−150
mA (max)
High h
FE
: h
FE
= 120 to 400
Excellent h
FE
linearity
: h
FE
(I
C
=
−0.1
mA) / h
FE
(I
C
=
−2
mA) = 0.95 (typ.)
Unit: mm
Q2:
High voltage and high current
: V
CEO
= 50 V, I
C
= 150 mA (max)
High h
FE
: h
FE
= 120 to 400
Excellent hFE linearity
: h
FE
(I
C
= 0.1 mA) / h
FE
(I
C
= 2 mA) = 0.95 (typ.)
―
JEDEC
―
JEITA
TOSHIBA
2-3N1A
Weight: 0.015 g (typ.)
Q1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
Rating
−50
−50
−5
−150
−50
Unit
V
V
V
mA
mA
Marking
Start of commercial production
1989-02
1
2014-03-01

HN1B01F-GR(TE85L,F相似产品对比

HN1B01F-GR(TE85L,F HN1B01F-Y(TE85L,F) HN1B01F-GR(TE85L,F) HN1B01F-GR(T5LMATF HN1B01F-Y(T5L,PP,F HN1B01F-Y(T5LKEHIF
描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 tran pnp/npn -50v -0.15a sm6 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
厂商名称 - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code - unknow unknown unknown unknown unknown
Is Samacsys - N N N N N
最大集电极电流 (IC) - 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 - 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) - 120 200 200 120 120
JESD-30 代码 - R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 - 2 2 2 2 2
端子数量 - 6 6 6 6 6
最高工作温度 - 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP
功耗环境最大值 - 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
最大功率耗散 (Abs) - 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
表面贴装 - YES YES YES YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 - AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz
VCEsat-Max - 0.25 V 0.25 V 0.25 V 0.25 V 0.25 V
Base Number Matches - 1 1 1 1 1

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