电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HN1A01FYTE85L

产品描述TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档 详细参数 全文预览

HN1A01FYTE85L概述

TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

HN1A01FYTE85L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.15 A
基于收集器的最大容量7 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
HN1A01F
TOSHIBA Transistor Silicon PNP
Epitaxial
Type (PCT Process)
HN1A01F
Audio-Frequency General-Purpose Amplifier
Applications
Small package (dual type)
High voltage and high current
: V
CEO
=
−50
V, I
C
=
−150
mA (max)
High h
FE
: h
FE
= 120~400
Excellent h
FE
linearity
: h
FE
(I
C
=
−0.1
mA) / h
FE
(I
C
=
−2
mA) = 0.95 (typ.)
Unit: mm
(Q1, Q2 Common)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−5
−150
−30
300
125
−55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-3N1A
Weight: 0.015 g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* Total rating
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE (note)
V
CE (sat)
f
T
C
ob
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
=
−50
V, I
E
= 0
V
EB
=
−5
V, I
C
= 0
V
CE
=
−6
V, I
C
=
−2
mA
I
C
=
−100
mA, I
B
=
−10
mA
V
CE
=
−10
V, I
C
=
−1
mA
V
CB
=
−10
V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
Min
120
80
Typ.
−0.1
4
Max
−0.1
−0.1
400
−0.3
7
Unit
μA
μA
V
MHz
pF
Note: hFE Classification
Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400
( ) Marking Symbol
1
2007-11-01
手机越用越卡是系统不行,还是原厂太黑
本帖最后由 通宵敲代码 于 2018-4-25 18:46 编辑 一下测试数据来自本人15年的红米Note2全网通高配版,刚刷完原厂稳定版,除了必要的APP, 其余全部卸载之后。 352704 352706 ......
通宵敲代码 聊聊、笑笑、闹闹
【GD32E503评测】GD32E503VET6 性能测试
2.4 GD32E503VET6 性能测试 2.4.1 指标初步分析 使用GD32E503开发产品,研发工程师基本会考虑两个指标:功耗和性能。 功耗非常难算的,而且跟硬件使用频率、环境及程序等相关。按照功能接口 ......
superstar_gu 国产芯片交流
支持移动硬盘需要加什么组件
usb host已经ok,u盘可以识别并挂载,但移动硬盘插上去没反应。 请问要支持移动硬盘,系统需要添加什么组件吗?...
wmhktx 嵌入式系统
谁用过TI的I2C芯片TCA6416A?
看了下资料,还是不太了解怎么操作它啊,英语水平不太好:Cry:...
数码小叶 微控制器 MCU
关于UCOS移植C51上的RAM分配的问题。
大家好。本人对于UCOS还是新手。想找UCOS的系统移植到C51上,遇到一些问题。希望大家来帮忙解决一下。 (在网上下载了一个移植实例有些看不太明白) 问题一:实例代码如下 ;定义重 ......
hulala 实时操作系统RTOS
期待9B96
支持论坛 提供9B96板子 做USB通讯 天地华杰科技有限公司 本帖最后由 bjmonsoon 于 2011-10-31 11:41 编辑 ]...
bjmonsoon 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 187  2124  642  317  2553  59  49  24  14  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved