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7052S20GGB

产品描述Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108
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文件大小629KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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7052S20GGB概述

Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108

7052S20GGB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明PGA,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最长访问时间20 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码S-CPGA-P108
JESD-609代码e3
长度30.48 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量4
端子数量108
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.207 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度30.48 mm
Base Number Matches1

7052S20GGB相似产品对比

7052S20GGB 7052L20GGB 7052L20GB 7052S20GB
描述 Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108 Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108 Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108 Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns
JESD-30 代码 S-CPGA-P108 S-CPGA-P108 S-XPGA-P108 S-XPGA-P108
JESD-609代码 e3 e3 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8
端口数量 4 4 4 4
端子数量 108 108 108 108
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC CERAMIC
封装代码 PGA PGA PGA PGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
Base Number Matches 1 1 1 1
Is Samacsys N N - N
最小待机电流 - 2 V 2 V 4.5 V
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