Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001 |
| 最长访问时间 | 20 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-XPGA-P108 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端口数量 | 4 |
| 端子数量 | 108 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | PGA108,12X12 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.0018 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.35 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| Base Number Matches | 1 |
| 7052L20GB | 7052L20GGB | 7052S20GGB | 7052S20GB | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108 | Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108 | Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108 | Multi-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CPGA108 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 20 ns | 20 ns | 20 ns | 20 ns |
| JESD-30 代码 | S-XPGA-P108 | S-CPGA-P108 | S-CPGA-P108 | S-XPGA-P108 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | e3 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端口数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 108 | 108 | 108 | 108 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC |
| 封装代码 | PGA | PGA | PGA | PGA |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 260 | 260 | 225 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | - | 4.5 V |
| Is Samacsys | - | N | N | N |
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