电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND01GW4B2AZA6

产品描述128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小402KB,共64页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 全文预览

NAND01GW4B2AZA6概述

128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

NAND01GW4B2AZA6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
针数63
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1K
端子数量63
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小1K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.05 mm
部门规模64K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NAND TYPE
宽度9.5 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
NAND01G-B
NAND02G-B
1 Gbit, 2 Gbit,
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
Feature summary
High Density NAND Flash memories
Up to 2 Gbit memory array
Up to 64Mbit spare area
Cost effective solutions for mass
storage applications
x8 or x16 bus width
Multiplexed Address/ Data
Pinout compatibility for all densities
FBGA
NAND interface
TSOP48 12 x 20mm
Supply voltage
1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes
x16 device: (1024 + 32 spare) Words
x8 device: (128K + 4K spare) Bytes
x16 device: (64K + 2K spare) Words
Random access: 25µs (max)
Sequential access: 50ns (min)
Page program time: 300µs (typ)
Page size
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm
TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm
Block size
Serial Number option
Data protection
Hardware and Software Block Locking
Hardware Program/Erase locked during
Power transitions
100,000 Program/Erase cycles
10 years Data Retention
Page Read/Program
Data integrity
Copy Back Program mode
Fast page copy without external
buffering
Internal Cache Register to improve the
program and read throughputs
Block erase time: 2ms (typ)
ECOPACK
®
packages
Development tools
Error Correction Code software and
hardware models
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
File System OS Native reference
software
Hardware simulation models
Cache Program and Cache Read modes
Fast Block Erase
Status Register
Electronic Signature
Chip Enable ‘don’t care’
for simple interface with microcontroller
February 2006
Rev 4.0
1/64
www.st.com
2
WINCE6.0网卡驱动程序问题:MiniportISR未被调用
DriverEntry中注册了接口函数: Characteristics.DisableInterruptHandler = xxxx_MiniportDisableInterrupt; Characteristics.EnableInterruptHandler = NULL; Characteristics.HandleIn ......
wq100 嵌入式系统
usb控制器,ehci可用,uhci却不可用
是不是ioports映射的问题?请高人回答...
yglcncm 嵌入式系统
双十一都剁手了吗?买啥好东西了?
听说双十一是清空购物车的日子,都剁手了吗?买什么好东西了分享下呗:handshake 220614 ...
赵玉田 聊聊、笑笑、闹闹
stc89C52单片机控制数码管显示两位数的c程序求解
我刚开始学习单片机,是个菜鸟。刚学到数码管,我原本是想让开发板上的第1、2 个数码管显示5和4。编写的下面的程序却让它们显示4和5。怎么也想不通,还望大神们指教指教。 #include sbit dula ......
samyang13 51单片机
MSP430 用C写程序,如何限制中间变量的存储空间!
我有个程序,0x200~0x219我用来存储26个数据,但是在调用一个子程,定义了中间变量m并赋值后,好死不死的m的存储空间正好是0x204 ,0x205,如何限制程序中局部变量的存储地址呢?...
零晨 微控制器 MCU
LM258电压采集电路分析
本帖最后由 ena 于 2018-12-28 21:49 编辑 这是一个LM258组成的电压采集电路,在别人家的板子上面摘抄的,但是不明白这个电路图的原理?谁能帮忙讲讲?谢谢:congratulate:其中PT2是接外部信 ......
ena 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 359  930  1322  2796  2762  53  25  2  1  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved