Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61LPS51218B-200TQLI

IS61LPS51218B-200TQLI: 产品描述Cache SRAM, 512KX18, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小966KB，共34页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS61LPS51218B-200TQLI概述

Cache SRAM, 512KX18, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LQFP-100

IS61LPS51218B-200TQLI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	LQFP,
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
最长访问时间	3.1 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
长度	20 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	100
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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IS61LPS51218B, IS61LPS25636B, IS61LPS25632B, IS64LPS25636B,

IS61VPS/VVPS51218B, IS61VPS/VVPS25636B

256K x 36, 256K x 32, 512K x 18

9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED,

SINgLE CYCLE DESELECT STATIC RAM

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth ex-

pansion and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for BGA package

• Power Supply

LPS: V

3.3V (+ 5%),

ddq

3.3V/2.5V (+ 5%)

VPS: V

2.5V (+ 5%),

ddq

2.5V (+ 5%)

VVPS: V

1.8V (+ 5%),

ddq

1.8V (+ 5%)

• JEDEC 100-Pin QFP, 119-ball BGA, and 165-

ball BGA packages

• Lead-free available

MAY 2017

DESCRIPTION

The 9Mb product family features high-speed, low-power

synchronous static RAMs designed to provide burstable,

high-performance memory for communication and net-

working applications. The IS61LPS/VPS25636B and

IS64LPS25636B are organized as 262,144 words by

36 bits. The IS61LPS25632B is organized as 262,144

words by 32 bits. The IS61LPS/VPS51218B is organized

as 524,288 words by 18 bits. Fabricated with

ISSI

's ad-

vanced CMOS technology, the device integrates a 2-bit

burst counter, high-speed SRAM core, and high-drive

capability outputs into a single monolithic circuit. All

synchronous inputs pass through registers controlled by

a positive-edge-triggered single clock input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock input. Write cycles can be

one to four bytes wide as controlled by the write control

inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

The byte write operation is performed by using the byte

write enable (BWE) input combined with one or more

individual byte write signals (BWx). In addition, Global

Write (GW) is available for writing all bytes at one time,

regardless of the byte write controls.

Bursts can be initiated with either ADSP (Address Status

Processor) or ADSC (Address Status Cache Controller)

input pins. Subsequent burst addresses can be gener-

ated internally and controlled by the ADV (burst address

advance) input pin.

The mode pin is used to select the burst sequence or-

der, Linear burst is achieved when this pin is tied LOW.

Interleave burst is achieved when this pin is tied HIGH

or left floating.

250

2.6

250

200

3.1

200

166

3.8

166

Units

MHz

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be expected to cause

failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written

assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. B3

05/26/2017

IS61LPS51218B-200TQLI相似产品对比

	IS61LPS51218B-200TQLI	IS61LPS25636B-200TQLI
描述	Cache SRAM, 512KX18, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LQFP-100
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	LQFP,	LQFP,
Reach Compliance Code	compliant	compli
最长访问时间	3.1 ns	3.1 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
长度	20 mm	20 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	18	36
功能数量	1	1
端子数量	100	100
字数	524288 words	262144 words
字数代码	512000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	512KX18	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm

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