汕头华汕电子器件有限公司
PNP
SILICON
TRANSISTOR
928S
晶½管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A080BJ-03
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：800×800µm
2
焊½尺寸：B 极
124×124µm
2
；E 极
221×110µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：KSA928A，H928S
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装½式：TO-92）
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………0.75W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………-30V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………-30V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-5V
I
C
——集电极电流…………………………………………
-2A
（封装½式：TO-92）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
-30
-30
-5
-100
-100
320
-2
-1
120
30
单½
V
V
V
nA
nA
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
100
I
C
=-100µA，I
E
=0
I
C
=-10mA，I
B
=0
I
E
=-1mA，I
C
=0
V
CB
=-30V，I
E
=0
V
EB
=-5V，I
C
=0
V
CE
=-2V，I
C
=-500mA
V
I
C
=-1.5A，I
B
=-30mA
V
V
CE
=-2V，I
C
=-500mA
MHz V
CE
=-2V，I
C
=-500mA
pF
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
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