datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MX1N5768
PDF数据手册
文档预览

MX1N5768

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DFP-10
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小79KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MX1N5768概述

Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DFP-10

MX1N5768规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DFP
包装说明R-CDFP-F10
针数10
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE
最小击穿电压60 V
配置COMMON ANODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-CDFP-F10
JESD-609代码e0
元件数量8
端子数量10
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/474
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1N5768
Isolated Diode Array with
HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION
These low capacitance diode arrays with common cathode are multiple, discrete, isolated
junctions fabricated by a planar process and mounted in a 10-PIN package for use as
steering diodes protecting up to eight I/O ports from ESD, EFT, or surge by directing
them to the positive side of the power supply line (see figure 1). This circuit application is
further complimented by the 1N5770 (separate data sheet) that has a common anode.
An external TVS diode may be added between the positive supply line and ground to
prevent overvoltage on the supply rail. They may also be used in fast switching core-
driver applications. This includes computers and peripheral equipment such as magnetic
cores, thin-film memories, plated-wire memories, etc., as well as decoding or encoding
applications. These arrays offer many advantages of integrated circuits such as high-
density packaging and improved reliability. This is a result of fewer pick and place
operations, smaller footprint, smaller weight, and elimination of various discrete
packages that may not be as user friendly in PC board mounting.
IMPORTANT:
For the most current data, consult
MICROSEMI’s
website:
http://www.microsemi.com
APPEARANCE
WWW .
Microsemi
.C
OM
10-PIN Ceramic
Flat Pack
FEATURES
•
•
•
•
•
•
Hermetic Ceramic Package
Isolated Diodes To Eliminate Cross-Talk Voltages
High Breakdown Voltage V
BR
> 60 V at 10
μA
Low Leakage I
R
< 100nA at 40 V
Low Capacitance C < 4.0 pF
Options for screening in accordance with MIL-PRF-
19500/474 for JAN, JANTX, JANTXV, and JANS are
available by adding MQ, MX, MV, or MSP prefixes
respectively to part numbers. For example, designate
MX1N5768 for a JANTX screen.
•
•
•
•
•
•
•
APPLICATIONS / BENEFITS
High Frequency Data Lines
RS-232 & RS-422 Interface Networks
Ethernet: 10 Base T
Computer I/O Ports
LAN
Switching Core Drivers
IEC 61000-4 Compatible (see circuit in figure 1)
61000-4-2 ESD : Air 15kV, contact 8kW
61000-4-4 (EFT) : 40A – 5/50 ns
61000-4-5 (surge): 12A 8/20
μs
MAXIMUM RATINGS
•
•
•
•
•
•
•
V
BR
Reverse Breakdown Voltage 60 V min (Notes 1 & 2)
I
O
Continuous Forward Current 300 mA (Notes 1 & 3)
I
FSM
Forward Surge Current (tp=1/120 s) 500 mA (Note 1)
o
400 mW Power Dissipation per Junction @ 25 C
500 mW Power Dissipation per Package @ 25
o
C (Note 4)
o
Operating Junction Temperature range –65 to +150 C
Storage Temperature range of –65 to +200
o
C
NOTE 1:
NOTE 2:
NOTE 3:
NOTE 4:
Each Diode
Pulsed: P
W
= 100 ms max; duty cycle <20%
o
o
Derate at 2.4 mA/ C above +25 C
o
o
Derate at 4.0 mW/ C above +25 C
MECHANICAL AND PACKAGING
•
•
•
•
10-PIN Ceramic Flat Pack
Weight 0.25 grams (approximate)
Marking: Logo, part number, date code and dot
identifying pin #1
Carrier Tubes; 19 pcs (standard)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Diode) @ 25
o
C unless otherwise specified
1N5768
PART
NUMBER
MAXIMUM
FORWARD
VOLTAGE
V
F1
I
F
= 100 mA
(Note 1)
Vdc
MAXIMUM
FORWARD
VOLTAGE
V
F2
I
F
= 500 mA
(Note 1)
Vdc
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
I
R1
V
R
= 40 V
μAdc
MAXIMUM
CAPACITANCE
(PIN TO PIN)
C
t
V
R
= 0 V
F = 1 MHz
pF
MAXIMUM
FORWARD
RECOVERY TIME
t
fr
I
F
= 500 mA
ns
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY TIME
trr
I
F
=
I
R
= 200 mA
i
rr
= 20 mA
R
L
= 100 ohms
ns
1N5768
Copyright
©
2006
01-24-2006 REV B
1
1.5
0.1
4.0
40
20
NOTE 1:
Pulsed: P
W
= 300 µs +/- 50 µs, duty cycle <2%, 90 µs after leading edge.
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 1

MX1N5768相似产品对比

MX1N5768 MQ1N5768 MV1N5768 MSP1N5768
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DFP-10 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DFP-10 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DFP-10 Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 8 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DFP-10
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DFP DFP DFP DFP
包装说明 R-CDFP-F10 R-CDFP-F10 R-CDFP-F10 R-CDFP-F10
针数 10 10 10 10
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE
最小击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 COMMON ANODE, 8 ELEMENTS COMMON ANODE, 8 ELEMENTS COMMON ANODE, 8 ELEMENTS COMMON ANODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-CDFP-F10 R-CDFP-F10 R-CDFP-F10 R-CDFP-F10
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 8 8 8 8
端子数量 10 10 10 10
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/474 MIL-19500/474 MIL-19500/474 MIL-19500/474
表面贴装 YES YES YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1

推荐资源

电子变压器工作原理图

TDA1521的应用电路

无负电源时UAA4002的正确应用电路原理图

ULN2429型液体检测器电路

光控定时路灯电路

桥式检拾型喇叭保护电路(一)

器件捷径:   E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

  1. 330SS003NF16
  2. TBP06G
  3. FYA-R021407AZX-23
  4. 562S2S36
  5. SC3-14RFI
  6. VJ0603D1R4DLBAC
  7. HW-12-20-L-S-425-SM
  8. MQSMLJ6.0CAE3TR
  9. SMAJ220A
  10. A2547HE-14P+A2547M-TP
  11. D1272H-10P-50
  12. MIX2908

开源项目推荐更多

  1. 使用 Analog Devices 的 LT1120ACN8 的参考设计
  2. DC2196A-B，用于 LTC2666-12、8 通道、12 位、±10V Vout SoftSpan DAC 的演示板，具有 10ppm 最大基准
  3. 使用 Microchip Technology 的 TC33163 的参考设计
  4. 基于UCC28880的85VAC-264VAC 输入、18V/130mA输出的通用AC-DC非隔离式降压转换器参考设计
  5. 用于完整 3V、12 位、1MHz 模数转换系统的 AD8602ARZ-REEL 运算放大器的典型应用
  6. BGA3012演示板，40 MHz至1006 MHz推挽放大器应用
  7. 可调版本使能600mA CMOS LDO稳压器的典型应用
  8. 在 AD9279 的 I/Q 输出之后使用 ADA4896-2ACPZ-RL 作为滤波器、I/V 转换器、电流加法器和 ADC 驱动器的典型应用电路
  9. TAR5S40 点稳压器（低压降稳压器）的典型应用
  10. 用于数据采集系统的 4.5 至 5.5V 模拟放大

热门活动更多

  1. 安森美有奖直播｜iToF 传感器技术在高精度3D视觉中的关键技术解析
  2. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. 集创北方荣登2021年北京民营企业科技创新百强榜
  2. 奥拓电子Mini LED显示产品持续渗透
  3. OPPO发布了首款自研芯片
  4. 德州仪器电源工程师授证项目缘何获得长城电源青睐？
  5. 小马智行自动驾驶进阶路：第六代L4级软硬件系统已发布
  6. 初学stm32-寄存器开发点灯、流水灯、蜂鸣器
  7. 是德科技推出光测试解决方案，助力收发信机制造商缩短测试时间、降低测试成本
  8. ROHM开发出汽车内饰用RGB贴片LED，减少由混色引起的色差问题

技术资料推荐更多

  1. 发射机滤波电感器的设计原则
  2. 应用电子、继电线路设计论文资料
  3. Feed-Forward Compensation for Fast Frequency Settling All-Digital PLL
  4. 断续音报警信号发生器
  5. iphone5-V02点位图
  6. DC-AC变换器标准多谐振荡器
  7. 具有遥控功能的负载保护器
  8. 硬件电路经验整理
  9. FKD3004技术资料
  10. LED 可靠性与使用寿命

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 127  1867  2771  1137  2168  4  33  19  39  34 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved